电科技7月17日消息，日前ASML在财报会议上出乎意料地宣布了一个好消息——Intel的18A工艺已经率先量产了High NA EUV光刻工艺，这还是该技术的全球首次。
Intel确实是全球最早购买High NA EUV光刻机的，但Intel之前的路线图中，只有到14A工艺节点才会应用该技术，后者2028年才会试产，2029年才会量产。
如今High NA EUV的量产提前了三年之多，确实让人想不到，虽然该工艺只是在18A工艺的部分层中量产，还不会取代当前的low NA EUV光刻机。
那Intel率先量产High NA EUV技术有什么意义？还真不是纯粹作秀，Intel公布的信息显示，High NA EUV光刻层的成本比当前的EUV成本还低，后者需要40多个步骤才能完成的曝光过程只需要用High NA EUV光刻机1次就能完成。
再往别的方面来看，Intel在18A工艺上就率先使用High NA EUV工艺生产，可以为下一代的14A工艺排雷，提前部署可以积累经验，到了14A工艺大规模量产High NA EUV工艺的时候就能快速产能爬坡。
14A工艺对Intel来说可能比18A工艺还要重要，不光是技术迭代，14A是Intel争取苹果、谷歌、微软、亚马逊、Meta等公司代工订单的核心一战，这一代再拿不下大客户的订单，Intel在代工市场真的没什么机会了，哪怕美国政府再强制输血也没用。
此外，在High NA EUV工艺上，Intel也能完成对台积电的一次超越——过去十多年中Intel为什么在先进工艺上落后，很多人不知道的是Intel之前对EUV量产的进度非常保守，一直希望用DUV+SAQP多重图案之类的技术继续迭代，结果被台积电用率先量产EUV工艺彻底赶超了。
如今风水轮流转，台积电对High NA EUV光刻机意兴阑珊，A12工艺之前都不会用，也就是2030年之前都不会量产High NA EUV工艺，而Intel这波量产直接提前了4年，实现了一次对台积电的技术领先。
至于双方这次押注到底谁能笑到最后，现在说还为时过早，等着看吧。
