电科技7月31日消息，据媒体报道，高通在FY2026 Q3财报电话会议上披露了多项关键进展。
其ASIC芯片定制业务已从两家全球超大规模企业获得项目，目前两个项目均已启动晶圆生产，预计将从2026年12月当季开始贡献收入。
与此同时，高通首代HBC（高带宽计算）架构芯片已完成流片，为2027年年中的正式推出奠定基础。该HBC堆栈底部为近内存加速器单元，上层则通过TSV（硅通孔）技术堆叠LPDDR DRAM Die，以实现高带宽与低延迟。
针对芯片涨价问题，高通总裁兼首席执行官克里斯蒂亚诺·安蒙（Cristiano Amon）表示：“即使是两位数的价格上涨，也仅是输入成本与晶圆成本上涨的转嫁。若与内存物料清单（BOM）的量级相比，这一涨幅其实很小。”
他同时指出，当前半导体全供应链正以100%产能运行，晶圆制造、封装、测试及测试设备等各环节均出现短缺与涨价，而高通凭借充裕的库存和跨节点产能额度，形成了有利的应对优势。
