电科技9月1日消息，先进工艺生产越来越离不开EUV光刻机，ASML的EUV技术也逐渐从Low NA扩展到High NA EUV光刻机，目前已经量产出了135万片晶圆。
作为唯一的EUV光刻机供应商，ASML公司日前在半导体大会上透露了High NA EUV的最新进展，目前全球有4家客户投入了10台High NA EUV光刻机，还有3台系统正在出货安装中。
从ASML给出的分布来看，10台High NA EUV光刻机主要分布在韩国、美国、欧洲及中国台湾地区的公司手中，这也没啥悬念，基本上只有Intel、三星、SK海力士及台积电在购买使用High NA EUV光刻机，欧洲的应该是IMEC比利时微电子中心的，用于EUV技术研发试验。
已投入生产的10台High NA EUV光刻机累积已经生产了135万片晶圆，EXE:5200B型号目前已经达到了135WPH（1小时曝光135片晶圆）的吞吐量，ASML宣称达到了量产标准，并且为HVM大规模量产做准备。
不过这跟ASML官方页面宣称的产能还有点距离，EXE:5200B官方宣布的产能达到了175WPH以上。
对于High NA EUV来说，当前的生态显然还是有提升空间的，ASML提到设备可用率达到了84%，今年底将达到90%，并朝着93%的目标前进。
ASML还公布了High NA EUV的路线图，EXE:5200B下一代型号要升级到EXE:5400E，EUV光源功率将从600W提升到1000W，进一步提升产能水平，ASM目标是本年度末提升到180WPH。
作为对比，DUV光刻机目前的生产能力可以达到300-400WPH，显然EUV生态还有很长的路要走。
