电科技9月16日消息，Intel去年换了CEO陈立武之后，大刀阔斧改革，现在工艺升级越来越顺利了，18A就用上了High NA EUV光刻机，14A进展超预期，陈立武日前更是表态2027年Q1就量产14A。
14A工艺之前的计划是2029年量产，2季度财报会上陈立武确认会提前一年，在2028年就能量产，难道才几个月过去又要提前一年量产，直接快进到2027年Q1季度量产了。
如果地球上有半导体公司能做到这样的进展，一定是天降神人，极大地解决了工艺生产的难题，然而这种人现实中不可能存在，提前到2027年量产的说法就是陈立武口误了。
这下台积电、三星可以松口气了，不然27年Q1就能把14A工艺优化到生产阶段，AI芯片客户恨不得立马转订单给Intel了，台积电同级别的1.4nm级工艺要到28年，三星能在29年量产就不错了。
不过按照Intel之前公布的进展，2027年14A工艺风险试产也是有的，只是风险试产跟量产的区别就大了，商业意义完全不能相提并论。
此前Intel公布的14A工艺进展是0.5版本PDK已向客户开放，0.9版本预计2026年10月发布。
第三方给出了更具体的指标，今年6月份14A工艺的缺陷密度已经到D0 0.5的水平，目标是在2027年Q1季度做到D0 0.1-0.2，做到0.1以下就可以规模量产了，100mm2左右的小芯片良率能到90%左右，400-800mm2的大型AI芯片也能到65-75%的良率，商业生产没啥问题。
