电科技9月20日消息，在2026世界制造业大会上，长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。
据介绍，长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米，存储器电容深宽比达45:1，核心动能区高度降至6762纳米。
同时，第五代工艺平台存储密度大幅提升。同等条件下，每张晶圆产出较上一代平台提升50%以上。基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已进入正式量产，并全面进入国产主流旗舰手机。
根据长鑫存储官网信息，其LPDDR5X产品线覆盖颗粒、芯片及模组等多种形态。颗粒方面提供12Gb和16Gb两种容量；芯片方案涵盖12GB、16GB、24GB等规格；模组形态的LPCAMM产品则提供16GB和32GB容量。
速率方面，该系列同时支持8533Mbps、9600Mbps和10667Mbps三档，并兼容LPDDR5标准，为用户提供灵活的升级路径。
