电科技10月15日消息，第28届半导体展（SEDEX 2026）于10月14日至16日在首尔江南区COEX会展中心举办，为期三天。三星电子与SK海力士在展会上共同展出第七代高带宽内存HBM4E及新一代存储技术。
三星HBM4E采用10纳米级第六代（1c）DRAM搭配4纳米制程基础裸片，单引脚传输速率14Gbps至最高16Gbps，较HBM4提升超20%。
该产品最高带宽达3.6TB/s，12层堆叠版本容量48GB，较上代增加30%以上。三星还计划推出8层32GB与16层64GB版本，已于今年5月向全球客户送样12层版本。
SK海力士展出的HBM4E最高传输速率同样达16Gbps，能效较HBM4提升逾20%，热阻降低约17%。该公司采用先进MR-MUF工艺，通过新一代接口与设计优化有效降低了数据传输延迟，6月已向主要客户送样12层48GB版本并开展性能验证。
三星还展出zHBM概念产品，将HBM垂直堆叠在处理单元之上，大幅缩短数据传输路径。结合下一代晶圆键合技术，zHBM内存密度可达HBM5的10倍以上，能效提升3倍。同时展出面向边缘AI的LPDDR-PIM与zNAND-O方案。
SK海力士提出融合HBM速度与NAND容量的HBF（高带宽闪存），在HBM与SSD之间构建全新存储层级，目标容量约为HBM的10倍。HBF采用UCIe开放接口标准，可灵活集成至GPU与CPU等不同处理器平台。
SK海力士开发总裁安铉在主题演讲中表示，预计2030年AI基础设施性能将较今年增长约20倍。他强调，AI推理需求正从复杂度、上下文长度、请求量三个维度同步增长。
