电科技10月19日消息，第五届GMIF创新峰会（GMIF2026）日前在深圳落幕。三星内存中国的CVP兼CTO凯文·尹在大会上发表题为《内存革命：构建智能体AI的基石》的主题演讲，介绍了覆盖从服务器SSD到端侧zNAND-O的完整产品布局。
他指出，随着AI从生成式走向智能体，多个智能体协同处理复杂任务，产生的token数量急剧增加，KV缓存的容量与复用需求随之上升。一旦KV缓存超出GPU内存的承载范围，独立的共享存储层级就变得不可避免。
围绕KV缓存共享，凯文·尹介绍了两种服务器SSD。主打性能的PCIe Gen6产品PM1763采用V-NAND TLC并强化了散热系统，计划在2026年第四季度出样。
在NAND工艺层面，凯文·尹介绍了三星最新的V10 BV-NAND，这是业界首个实现400层以上的产品。相比V9，V10的位密度提升58%，I/O速度提升33%，功耗降低25%。
他提到，其中的关键在于先进键合技术，即把存储单元与外围电路分开制造，再垂直贴合，从而实现高密度堆叠。
针对端侧AI，三星给出的方案是新一代NAND架构zNAND-O，目前正在开发4层与8层两个版本。按照三星的判断，到2030年AI模型的参数规模将超过1万亿，如果沿用现有统一内存架构、把所有权重都放在DRAM里，端侧成本会迅速攀升。
zNAND-O与MPU封装在一起并通过UCIe接口连接，位密度达到DRAM的10倍，读取带宽与读取能效则是NAND闪存的7倍。在使用Moonshot AI的Kimi K2-1T模型进行的模拟中，采用zNAND-O的NPU优化架构在同等性能下把内存成本降到四分之一，所能容纳的模型规模接近原来的两倍。
GMIF每年都会表彰在产业链上推动关键技术突破与计算生态建设的企业。三星半导体凭借zNAND-O三维架构、400层以上V10 NAND、CXL内存以及在DRAM与NAND领域长期的领先位置，获得AI内存与存储产业卓越领导力奖，这也是它连续第二年在这一大会上获奖。
从共享KV缓存所需的高速与大容量服务器SSD，到400层以上的V10 NAND，再到面向端侧的zNAND-O，三星在多个层级上都拿出了对应方案。
