电科技10月24日消息，据报道，美光在近期技术研讨会上公布了下一代AI内存路线图，核心是名为vHBM的垂直高带宽内存架构。
与传统HBM通过中介层将内存与处理器并排摆放不同，vHBM直接将DRAM堆叠在运算芯片上方，用无凸块混合铜键合技术取代中介层，大幅压缩数据传输距离。
美光总裁兼CTO Scott DeBoer表示，AI工作负载对每token带宽和功耗的要求正在急剧攀升，vHBM的目标就是消除互连瓶颈。
首代vHBM设计目标为2TB/s带宽，每比特能耗低于1皮焦耳，计划2028年启动量产，2030年前推出三代产品，其中vHBM3锁定2030年。
但把内存直接压在处理器头顶，带来了一个物理层面的硬伤：散热。法国分析师Karl Ackerman指出，内存堆叠在处理器上方会直接挡住处理器的散热路径，形成散热妥协，这很可能限制vHBM的应用范围和部署规模。
他判断，vHBM未来将与标准HBM并行使用，而不是全面取代现有架构。美光为vHBM准备了集成式烟囱散热器，但散热工程难度依然极高。
与vHBM同步推进的还有vEIM垂直边缘推理内存，将低功耗LPDDR堆叠在边缘设备的逻辑芯片之上，同样瞄准2TB/s带宽和低于1皮焦耳每比特的能效，计划2028年量产。
美光短期的增长引擎仍是HBM、服务器DRAM和企业级SSD，供应链紧张预计至少持续两年。vHBM能否从技术蓝图走向大规模商用，散热和制造成本是绕不开的两道关。
