电科技10月28日消息，据报道，国产DRAM制造商长鑫存储已向国内多家 AI 芯片设计公司送出HBM3E样品，预计未来两个月内启动小批量生产。
HBM3E是一种高带宽内存，通过垂直堆叠内存芯片制成，用于与AI处理器高速交换数据，是训练和运行大语言模型专用芯片的关键元器件。
今年8月就有报道称，阿里巴巴平头哥、寒武纪等多家国内芯片设计公司已在测试将长鑫HBM3E与自研处理器搭配使用，最早明年投入产品。
知情人士透露，长鑫HBM3E良率目前低于市场龙头SK海力士，良率偏低意味着成本随之上升，该人士同时透露，长鑫HBM3E的售价预计将高于海外竞争对手的同类产品。
另一位知情人士透露，长鑫已向客户送出两个版本，其中一款为标准设计，另一款是改良版针对良率做了优化。
市场格局方面，Counterpoint数据显示，今年第二季度SK海力士占全球HBM营收份额50%，三星33%，美光18%，这三家几乎包揽了全球HBM营收。
Counterpoint同时指出，长鑫科技当季在全球DRAM市场的营收占比为10%，是全球第四大传统内存芯片供应商。
