电科技6月5日消息，据TrendForce报道，SK海力士正着手大规模扩张DRAM产能。
目前，公司已与主要供应商分享了相关计划，目标是在2030年至2031年前后，将DRAM产能提升至当前水平（约每月55万片晶圆）的近两倍，其中包含无锡工厂的产能（约每月20万片晶圆）。
这一规划与集团董事长崔泰源在COMPUTEX 2026上的表态一致：未来五年内，SK海力士将全力推动整体晶圆产能翻倍。
扩建工程主要集中于韩国京畿道龙仁市的龙仁半导体集群——一个超大型半导体制造园区。
园区内的首座晶圆厂将建设六间洁净室，首批设备安装计划从原定的2027年5月提前至2027年2月。预计到2030年上半年，该工厂可新增每月36万片晶圆的产能，显著提升SK海力士对客户需求的响应能力。
另一项扩建工程位于韩国忠清北道清州市的M15X工厂，计划于2026年下半年开始运营，初始产能为每月4万片晶圆，并于2027年提升至每月8万片。
值得注意的是，SK海力士所有新增产能均将用于DRAM芯片的生产。与之相比，另一项核心业务——NAND闪存的战略重点并非快速扩张产能，而是技术迭代升级，如增加堆叠层数，两者侧重点明显不同。
