电科技6月10日消息，在2nm及以下的先进工艺的竞争中，日本除了Rapidus公司依靠IBM技术之外还有多家机构在自研技术，东京科技大学日前就实现了GAA晶体管工艺中的一次重要突破。
大家都知道芯片工艺进入2nm节点之后，目前在用的FinFET晶体管结构也要转向GAA环绕栅极晶体管以进一步缩小体积，提升密度，但GAA面临的技术挑战也很多，整体的EOT尺寸在1.4nm就会遇到瓶颈，SiO2二氧化硅的绝缘层厚度也就到0.8nm。
东京科技大学电气电子系的教授星井拓也及多家技术团队这次的突破就在于将绝缘层厚度进一步缩小到了0.2nm，相当于1个原子层的厚度，让GAA晶体管密度进一步提升。
根据IRDS的路线图，2nm以下的工艺整体的EOT尺寸需要缩小到了0.9nm，当前的技术也就做到了1.4nm，因此这次厚度缩减到0.2nm也是一个重要突破。
他们的技术也不止于缩减厚度，另一个突破还跟阈值电压有关，使用了一种新的材料作为偶极层，可以更精确地调节电压，调节范围更大，波动更小，可以精准适配性能核、能效核的需要。
他们的研究成果已经入选了2026年的VLSI Symposium国际会议，会在6月14日到18日的会议上公布更多详情。
当然，这种技术什么时候能真正用于商业生产才是关键，东京科技大学的文章中说了已经进行了试点，他们开发的材料和工艺可与在当前的300mm晶圆生产兼容。
