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新型NAND闪存问世：抗辐射能力达传统闪存30倍 可承受太空极端辐射
电科技5月22日消息，据媒体报道，美国佐治亚理工学院的研究团队成功研制出一款新型NAND闪存。 该闪存不仅能够高效处理人工智能（AI）任务，还能承受太空环境中的极端辐射，其抗辐射能力达到传统NAND闪存的30倍。 这款新型闪存利用了与硅工艺…
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